FIB測(cè)試，SEM測(cè)試:

FIB測(cè)試，SEM測(cè)試

型號(hào)/規(guī)格

FIB測(cè)試

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FIB測(cè)試

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FIB測(cè)試

FIB測(cè)試，F(xiàn)IB檢測(cè)，

FIB 是英文 Focused Ion Beam的縮寫,依字面翻譯為聚焦離子束.簡(jiǎn)單的說就是將Ga(鎵)元素離子化成Ga+, 然后利用電場(chǎng)加速.再利用靜電透鏡(electrostatic)聚焦,將高能量(高速)的Ga+打到指定的點(diǎn). 基本原理與SEM類似,僅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB聚焦離子束是針對(duì)樣品進(jìn)行平面、界面進(jìn)行微觀分析。檢測(cè)流程包括：樣品制定、上機(jī)分析、拍照等，最后提供界面相片等數(shù)據(jù)。
主要用途：
1、電路修正, 用于驗(yàn)證原型,改善bug，節(jié)省開支，增快上市時(shí)間。
2、縱面的結(jié)構(gòu)分析可直接于樣品上處理,不需額外樣品準(zhǔn)備。
3、材料分析-TEM樣品制備,用于精確定點(diǎn)試片制作,減低定點(diǎn)試片研磨所需人員經(jīng)驗(yàn)的依賴。
4、電壓對(duì)比、用于判定Metal(Via/Contact)是否floating。
5、Grain(晶粒)形狀大小的判定

SEM測(cè)試，SEM檢測(cè)。

1. 原理 

SEM的工作原理是用一束極細(xì)的電子束掃描樣品，在樣品表面激發(fā)出次級(jí)電子，次級(jí)電子的多少與電子束入射角有關(guān)，也就是說與樣品的表面結(jié)構(gòu)有關(guān)，次級(jí)電子由探測(cè)體收集，并在那里被閃爍器轉(zhuǎn)變?yōu)楣庑盘?hào)，再經(jīng)光電倍增管和放大器轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)來控制熒光屏上電子束的強(qiáng)度，顯示出與電子束同步的掃描圖像。圖像為立體形象，反映了標(biāo)本的表面結(jié)構(gòu)。

2. 性能

設(shè)備能夠滿足可以觀察直徑為0～200mm（8〞wafer）的試樣。     

放大倍率：×5～×300,000

設(shè)備能夠滿足可以觀察直徑為0～200mm（8〞wafer）的試樣。     
放大倍率：×5～×300,000

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