檢測認證人脈交流通訊錄
IGBT直流參數測試儀ST-DC2002
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測試對象：IGBT、Mosfet、Diode
測試參數：靜態參數，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復二極管的VF、ICES等參數
標準《絕緣柵雙極晶體管（IGBT）》（GB/T29332-2012）
該測試儀具有自動保護功能，且所有參數的設定及顯示均采用液晶屏觸摸屏實現，支持U盤一鍵導出數據
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IGBT直流參數測試儀ST-DC2002
IGBT測試
IGBT測試項目
測試條件
測試結果
柵極-發射極柵
極絕緣
Vges:?1.0-20.0V ,分辨力,0.1V
精度:±3%?±0.1V
Iges: 0.1-20.0μA,分辨力,0.1μA
精度:±3%?±0.1μA
截止電流
Vces:?100-2000V,分辨力,1 V
精度:±3%?±10V
Ices:?100μA-1000μA,分辨力,10μA
1.0mA-10.0mA,分辯力,0.1mA
精度:±3%?±10μA
閾值電壓
Ice：?1-10mA， 分辨力，?1mA
（可根據客戶需求擴展）
Vge(th):?1.0-10.0V,分辨力,0.1V
精度:±3%?±0.1V
飽和壓降
Ice: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3%?±1A
Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V
精度:±3%?±0.10V
二極管壓降
If: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3%?±1 A
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3%?±0.10V
二極管反向電流
Vd:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3%?±10V
Id:?100μA-1000μA,分辨力,10μA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3%?±10μA
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IGBT直流參數測試儀ST-DC2002
MOSFET測試
MOSFET測試項目
測試條件
測試結果
柵極-源極絕緣
Vgss:?1.0-20.0V ,分辨力,0.1V
精度:±3%?±0.1V
Igss: 0.1-20.0μA,分辨力,0.1μA
精度:±3%?±0.1μA
漏極-源極截止電流
Vdss:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3%?±10V
Idss:100μA-1000μA,分辨力,10μA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3%?±10μA
柵極-源極閾值電壓
Ids：?1-10mA， 分辨力，?1mA
Vgs(to):?1.0-10.0V,分辨力,0.1V
精度:±3%?±0.1V
漏極-源極導通電阻
Ids:20-200A,分辨力,1A
精度:±3%?±1A
Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR
二極管壓降
If: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3%?±1 A
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3%?±0.10V
二極管反向電流
Vdss:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3%?±10V
Idss:100μA-1000μA,分辨力,10μA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3%?±10μA
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IGBT直流參數測試儀ST-DC2002
DIODE測試
DIODE測試項目
測試條件
測試結果
二極管壓降
If:20-200A,分辨力,1A
精度:±3%?±1A
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3%?±0.10V
二極管反向電流
Vd:100-2000V,分辨力,1V
精度:±3%?±10V
Id:100μA-1000μA,分辨力,10μA
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3%?±10μA
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IGBT直流參數測試儀ST-DC2002
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