? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?雪崩能量測試儀

雪崩能量測試儀???浪涌電流測試儀??IGBT測試儀?晶體管測試儀

半導體分立器件作為在電力電子行業中應用*為廣泛的基礎元件，其性能表現對整個電子電路系統來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流，滿足一定的雪崩耐量。?該雪崩能量測試系統主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達2000J。測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器，并由示波器與工控機直接通訊，將采集數據傳輸給計算機，計算機將測試數據以EXCEL表格形式顯示并進行*終的編輯和打印。 ENX2020?雪崩能量測試系統?功能指標： 配置 測試范圍 測試參數 條件 范圍 電壓 1000V IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管 EAS/單脈沖雪崩能量 VCE 20V～4500V 20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V 電流 200A MOSFETs MOS場效應管 EAR/重復脈沖雪崩能量 Ic 1mA～200A 1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA 2A～200A±3%±50mA DIODEs 二極管 IAS/單脈沖雪崩電流 Ea 1J～2000J 1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J 500J～2000J±3%±10J PAS/單脈沖雪崩功率 IC檢測 50mV/A（取決于傳感器） 感性負載 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 重復間隙時間 1~60s可調（步進1s） 重復次數：1~50次

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