檢測認證人脈交流通訊錄
消費級、車規級芯片（IC）HTOL、HAST、HTSL測試;廣電計量檢測
這真不是您需要的服務？
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對應法規：HTOL、HAST、HTSL
CNAS認可項目：是 芯片環境可靠性試驗
高溫老化壽命試驗(HTOL)
參考標準：JESD22-A108；
測試條件：
For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
Grade 0: +150℃ Ta for 1000 hours.
Grade 1: +125℃ Ta for 1000 hours.
Grade 2: +105℃ Ta for 1000 hours.
Grade 3: + 85℃ Ta for 1000 hours.
Vcc (max) at which dc and ac parametric are guaranteed. Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room, hot, and cold temperature.
高加速應力試驗(HAST)
參考標準：JESD22-A110；
測試條件：
Plastic Packaged Parts
Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.
Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for 500 hours.
Grades 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for 500 hours.
Ceramic Packaged Parts
+250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.
TEST before and after HTSL at room and hot temperature.
* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.
高溫存儲試驗(HTSL)
參考標準：JESD22-A103 ；
測試條件：
Plastic Packaged Parts
Grade 0: +175℃ for 1000 hours or +150℃ for 2000 hours.
Grade 1: +150℃ for 1000 hours or +175℃ for 500 hours.
Grade 2 to 3: +125℃ for 1000 hours or +150℃ for 500 hours.
Ceramic Packaged Parts
+250℃ for 10 hours or +200℃ for 72 hours.
TEST before and after HTSL at room and hot temperature.
* NOTE: Data from Test B3 (EDR) can be substituted for Test A6 (HTSL) if package and grade level requirements are met.
廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）是原信息產業部電子602計量站，經過50余年的發展，現已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構，專注于為客戶提供計量、檢測、認證以及技術咨詢與培訓等專業技術服務，在計量校準、可靠性與環境試驗、元器件篩選與失效分析檢測、車規元器件認證測試、電磁兼容檢測等多個領域的技術能力及業務規模處于國內領先水平。
GRGT目前具有以下芯片相關測試能力及技術服務能力：
芯片可靠性驗證 ( RA)：
芯片級預處理(PC) & MSL試驗 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；
高溫存儲試驗(HTSL), JESD22-A103 ；
溫度循環試驗(TC), JESD22-A104 ；
溫濕度試驗(TH / THB), JESD22-A101 ；
高加速應力試驗(HTSL / HAST), JESD22-A110；
高溫老化壽命試驗(HTOL), JESD22-A108；
芯片靜電測試 ( ESD)：
人體放電模式測試(HBM), JS001 ；
元器件充放電模式測試(CDM), JS002 ；
閂鎖測試(LU), JESD78 ；
TLP；Surge / EOS / EFT；
芯片IC失效分析 ( FA)：
光學檢查(VI/OM) ；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH ；Micro-probe;
聚焦離子束微觀分析(FIB)；
彈坑試驗(cratering) ；芯片開封(decap) ；
芯片去層(delayer)；晶格缺陷試驗(化學法)；
PN結染色 / 碼染色試驗；
推拉力測試(WBP/WBS)；紅墨水試驗：
PCBA切片分析(X-section)；
芯片材料分析：
高分辨TEM (形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF)；
SEM (形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD)；
Raman (Raman光譜)；AFM (微觀表面形貌分析、臺階測量)；
芯片分析服務：
ESD / EOS實驗設計；
集成電路競品分析；
AEC-Q100 / AEC-Q104開展與技術服務；
未知污染物分析包括：化學成分組成分析、成分含量分析、分子結構分析、晶體結構分析等物理與化學特性分析材料理化特性全方位分析。鍍層膜層全方位分析 (鍍層膜層分析方案的制定與實施，包括厚度分析、元素組成分析、膜層剖面元素分析)；
GRGT團隊技術能力：
•集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控
•集成電路競品分析、工藝分析
•芯片級失效分析方案turnkey
•芯片級靜電防護測試方案制定與平臺實驗設計
•靜電防護失效整改技術建議
•集成電路可靠性驗證
•材料分析技術支持與方案制定
半導體材料分析手法
芯片測試地點：廣電計量-廣州總部試驗室、廣電計量-上海浦東試驗室。
芯片測試業務咨詢及技術交流：
GRGT李工 138-0884-0060；
lisz@grgtest . com
