霍爾傳感器電作用,霍爾傳感器電路圖 ,郎福供

具體來說，霍爾效應傳感器由一塊薄的矩形p型半導體材料組成，例如砷化鎵，銻化銦或砷化銦，它們經過本身接連的電流。當器材放置在磁場中時，磁通線在半導體材料上施加力，該力使電荷載流子，電子和空穴偏轉到半導體板的任一側。電荷載流子的這種運動是它們經過半導體材料所飽受的磁力的效果。當這些電子和空穴移動側邊時，經過這些電荷載流子的積累在半導體材料的兩頭之間發作差分電壓即電位差。
霍爾傳感器是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器。霍爾效應是磁電效應的一種。
這一現象是霍爾（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導電機構時發現的。后來發現半導體、導電流體等也有這種效應，而半導體的霍爾效應比金屬強得多，利用這現象制成的各種霍爾元件，地應用于工業自動化技術、檢測技術及信息處理等方面。霍爾效應是研究半導體材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗測定的霍爾系數，能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數。

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