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對(duì)應(yīng)法規(guī)：
CNAS認(rèn)可項(xiàng)目：是 - 《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》GJB548A-1996方法1008A,《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》GJB548B-2005方法1008.1,《半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》GJB128A-1997方法1031、1032,《軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 高溫試驗(yàn)》 GJB150.3-1986,《軍用裝備試驗(yàn)室環(huán)境方法 第3部分：高溫試驗(yàn)》GJB150.3A-2009,《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫》GB/T2423.2-2008,《半導(dǎo)體集成電路機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》SJ/T10745-1996第3.3條,《微電子器件試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》MIL-STD-883H:2010 方法1008.2,《艦船電子設(shè)備環(huán)境試驗(yàn) 高溫試驗(yàn)》 GJB4.2-1983,《軍用通信設(shè)備通用規(guī)范
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