X射線光電子能譜（XPS），基于光電離作用，當一束光子輻射到樣品表面時，光子可以被樣品中某一元素的原子軌道上的電子所吸收，使該原子解脫原子核的束縛，以一定的動能從原子內(nèi)部發(fā)射出來，變成自由的光電子，而原子本身則變成一個激發(fā)態(tài)的離子。當固定激發(fā)源能量時，其光電子的能量僅與元素的種類和所電離激發(fā)的原子軌道有關(guān)，由此根據(jù)光電子的結(jié)合能定性分析物質(zhì)的元素種類。經(jīng)X射線輻照后，從樣品表面射出的光電子的強度與樣品中該原子的濃度呈線性關(guān)系，可以進一步進行元素的半定量分析。另外，XPS的重要應用是對元素的化學價態(tài)進行分析。

儀器技術(shù)參數(shù)

離子源：100-4000eV

束斑直徑：1-10mm

濺射速率范圍：0.1-50nm/min

采樣深度：金屬0.5-2nm，無機物1-3nm，有機物3-10nm

送樣要求

固體粉末：均勻干燥，粒度小于70um（過200目），質(zhì)量不少于100 mg；

塊體、金屬及薄膜樣，長寬小于10mm，高度小于5mm。

對含有揮發(fā)性、油污污染物的樣品許提前去除，絕對禁止分析帶有磁性的樣品。

應用

在化學、材料科學及表面科學中具有廣泛的應用價值。

1. 表面元素定性分析
2. 表面元素的半定量分析
3. 表面元素的化學價態(tài)分析
4. 元素沿深度方向的分布分析

常見譜圖

常見適用標準

ISO 16531-2013  表面化學分析.深度剖析.原子發(fā)射光譜(AES)和光電子能譜(XPS)中深度剖析用電流或電流密度的離子束校正和相關(guān)測量方法

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