檢測認證人脈交流通訊錄
- 儀器名稱：ICP等離子體刻蝕機（Ⅲ-Ⅴ）
- 價格型號：Plasmalab System 100 ICP 180
- 儀器分類：其它
- 應用領域：
- 所屬單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
- 所在地點：
- 產 地：
- 產 商：oxford
- 價 值：0
- 購置日期：0000-00-00
技術指標：ICP 離子源：0-3000W； RF 射頻源：0-600W；樣品尺寸：四英寸向下兼容；基底刻蝕溫度：0-200℃可調；可刻蝕材料包括：GaN，GaAs，InP，藍寶石等
儀器用途：通入反應氣體使用電感耦合等離子體輝光放電使其分解，產生的具有強化學活性的等離子體在電場加速作用下移動到樣品表面，對樣品表面既驚險化學反應生成揮發氣體，又有一定的物理刻蝕作用。因為等離子體源與射頻加速源分離，所以等離子體密度可以更高，加速能力也可以加強，以得到更高的刻蝕速率，更好的各向異性刻蝕。該系統使用了CL基與Br基的刻蝕氣體，因此適合于對III-V族化合物材料進行刻蝕。
收費標準：700/小時
機組負責人：張嬪 0512-62872625 pzhang2008@sinano.ac.cn
